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      2D Semiconductors:探索微觀世界的力量

       更新時間:2025-04-15 點(diǎn)擊量:303

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      2D Semiconductors是二維半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商,專注于單層或多層二維材料(如過渡金屬硫化物TMDCs、黑磷、石墨烯等)的研發(fā)、生產(chǎn)與商業(yè)化應(yīng)用??偛课挥诳萍紕?chuàng)新中心,公司在全球擁有數(shù)十項核心技術(shù),并與麻省理工學(xué)院、清華大學(xué)等頂尖科研機(jī)構(gòu)建立長期戰(zhàn)略合作。通過規(guī)?;a(chǎn)與定制化服務(wù),我們致力于推動電子器件向更輕薄、高效、低功耗的方向發(fā)展,助力碳中和目標(biāo)的實現(xiàn)。


      核心優(yōu)勢

      1.技術(shù):液相剝離技術(shù)實現(xiàn)99.9%純度單層薄膜量產(chǎn),層數(shù)控制精度達(dá)±1?;

      2.規(guī)?;a(chǎn)能力:月產(chǎn)能突破萬平方米,覆蓋從研發(fā)樣品到工業(yè)級批量的全鏈條需求;

      3.材料多樣性:提供20余種二維半導(dǎo)體材料庫,適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場景;

      4.質(zhì)量管控體系:通過ISO 9001/14001雙認(rèn)證,材料性能通過IMEC、AIST等國際機(jī)構(gòu)驗證;

      5.可持續(xù)發(fā)展:采用無污染制備工藝,碳排放較傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料降低80%。


      主要產(chǎn)品、技術(shù)介紹:

      1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

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      2英寸c向切割藍(lán)寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?(少層樣品可定制)。所有CVD生長的過渡金屬硫族化合物(TMDs)均表現(xiàn)出高發(fā)光特性,拉曼光譜研究進(jìn)一步證實了單層厚度。

      采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)合成這些單層材料,在半導(dǎo)體級潔凈室中使用6N級(99.9999%)高純度氣體和前驅(qū)體,制備出結(jié)晶度高、晶粒尺寸達(dá)1-50微米的大面積樣品。與常規(guī)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝不同(后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米),本工藝生長的樣品始終保持高結(jié)晶度、高發(fā)光性,且無碳污染層殘留。


      2.As2S3 Crystal

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      硫化砷(As?S?)具有2:3化學(xué)計量比。經(jīng)過3年累計250次生長試驗后,實現(xiàn)了化學(xué)計量比、大晶疇尺寸(十萬分之一的晶胞缺陷密度)以及超高純度(99.9998%)。塊體形態(tài)下,砷硫化物(As?S?)是直接帶隙半導(dǎo)體,帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似,其具有層狀(片層)結(jié)構(gòu),層間耦合較弱,可實現(xiàn)單層剝離。單層厚度約為0.8 nm,理論預(yù)言的單層As?S?仍待實驗與理論突破。本產(chǎn)品晶體尺寸可達(dá)約8毫米,展現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光特性。采用先進(jìn)生長技術(shù)培育8周,晶體結(jié)晶度優(yōu)異,拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機(jī)械剝離,是二維材料研究的理想選擇。


      3.2D Heterojunctions

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      已開發(fā)出可擴(kuò)展的方法,將二維CVD生長片層背對背轉(zhuǎn)移以構(gòu)建二維垂直異質(zhì)結(jié)。盡管二維半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊采用無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝,但預(yù)計在轉(zhuǎn)移過程中仍可能因應(yīng)變、基板和缺陷等因素導(dǎo)致二維層物理性質(zhì)發(fā)生變化。由于生產(chǎn)流程具有高度定制化特性,所有轉(zhuǎn)移類CVD產(chǎn)品一經(jīng)售出概不退款。

      該產(chǎn)品展示了我們在多種基板和異質(zhì)結(jié)排布方面的技術(shù)能力。定價主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應(yīng)用場景和樣品規(guī)格相關(guān)的其他技術(shù)挑戰(zhàn)。我們的研發(fā)團(tuán)隊致力于以經(jīng)濟(jì)實惠的方式為您打造定制化CVD產(chǎn)品。


      目標(biāo)客戶群體

      高校與科研院所:提供高純度基礎(chǔ)材料支持基礎(chǔ)研究;

      半導(dǎo)體晶圓廠:兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù);

      新能源企業(yè):鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制;

      消費(fèi)電子品牌:折疊屏手機(jī)鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。


      常見問題與解答

      Q1:二維半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅基材料相比有何優(yōu)勢?

      A:二維材料具備原子級厚度、超高載流子遷移率和機(jī)械柔韌性,可突破摩爾定律極限,適用于更高集成度的柔性/異構(gòu)芯片設(shè)計。

      Q2:材料穩(wěn)定性如何保障?

      A:通過表面鈍化處理與封裝技術(shù),產(chǎn)品在空氣環(huán)境中可穩(wěn)定保存12個月以上,特殊型號可達(dá)24個月。

      Q3:是否支持小批量定制化生產(chǎn)?

      A:是的,最小起訂量為1cm×1cm標(biāo)準(zhǔn)尺寸,交貨周期為4-6周。

      Q4:是否有成功商業(yè)化案例?

      A:已與OLED面板廠商合作開發(fā)透明導(dǎo)電薄膜,良率達(dá)95%以上。

      Q5:環(huán)保合規(guī)性如何?

      A:生產(chǎn)過程符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),廢水回收利用率達(dá)98%,獲LEED鉑金級綠色工廠認(rèn)證。


      熱銷產(chǎn)品

      貨號

      品名

      規(guī)格

      品牌

      BLK-BA

      Black Arsenic

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      2dsemiconductors

      BLK-BSCCO-2223

      BSCCO Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-Cr2Te3

      Cr2Te3 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-CrTe2

      CrTe2 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-Fe3GaTe2

      Fe3GaTe2 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-Fe4GeTe2

      Fe4GeTe2 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-GaPS4

      GaPS4 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-hBN-HPA

      Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

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      2dsemiconductors

      BLK-HfS2-FLX

      HfS2 Crystal Flux zone growth

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      2dsemiconductors

      BLK-MoS2-SYN-FLX

      MoS2 - Synthetic Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-NbOCl2

      NbOCl2 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-PTAS

      PTAS (solid)

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      2dsemiconductors

      BLK-Ta3FeS6

      Ta3FeS6 Crystal

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      2dsemiconductors

      BLK-TiS2

      TiS2 Crystal

      ea

      2dsemiconductors

      BLK-WS2

      Tungsten Disulfide (WS2)

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      2dsemiconductors

      BLK-WSe2-P

      WSe2 Crystal

      p-Type

      2dsemiconductors

      BLK-YBCO

      YBCO Crystal,Up to 1 cm size

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      2dsemiconductors

      BLK-ZRS2

      Zirconium Disulfide (ZrS2)

      ea

      2dsemiconductors

      BLK-ZrSe2

      ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

      ea

      2dsemiconductors

      BLK-ZrTe2

      ZrTe2 Crystal

      ea

      2dsemiconductors

      CVD-MoS2-ML-S

      Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

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      2dsemiconductors

      CVD-MoS2-ML-SP

      MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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      2dsemiconductors

      CVD-MoSe2-ML-SP

      MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

      ea

      2dsemiconductors

      CVD-SnSe2-ML-SP

      SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

      ea

      2dsemiconductors

      CVD-WS2-ML-SiO2Si

      WS2 on SiO2/Si

      ea

      2dsemiconductors

      CVD-WS2-ML-SP

      WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

      ea

      2dsemiconductors

      CVD-WSe2-ML-SP

      WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

      ea

      2dsemiconductors

      MBE-MoS2

      MoS2 - MBE on c-cut Sapphire

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      2dsemiconductors

      MBE-MoSe2

      MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire

      ea

      2dsemiconductors

      SOL-PTAS

      PTAS (liquid)

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      2dsemiconductors

       

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